Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова




Скачать 149.92 Kb.
НазваниеРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова
Дата публикации31.07.2013
Размер149.92 Kb.
ТипЛабораторная работа
shkolnie.ru > Право > Лабораторная работа
Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

ФГБОУВПО

Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова



«Биполярный транзистор»

Лабораторная работа по дисциплине “Общая электротехника и электроника”

Выполнил:

Студент 3-го курса

Группы ДЦ 3-1

.

Проверила:

доц. Михайлова О.М.

МОСКВА 2012
Цель работы: Исследовать зависимость тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер, проанализировать зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора, исследовать работу биполярного транзистора в режиме отсечки, получить входные и выходные характеристики транзистора, определить коэффициент передачи по переменному току, исследовать динамическое входное сопротивление транзистора.



  1. ^ Получение характеристик транзистора на входе:




Идеальный транзистор Реальный транзистор


Ek=0 B

Ek=5 B

Ek=10 B

Ek=0 B

Ek=5 B

Ek=10 B

E;

I;

U;

E;

I;

U;

E;

I;

U

E;

I;

U;

E;

I;

U

E

I;

U;

0.4

0.05*10

0.4

0.4

0.111*10

0.4

0.4

0.111*10

0.4

0.4

0.143 *10

0.4

0.4

1.167*10

0.4

0.4

0.167*10

0.4

0.5

0.11*10

0.5

0.5

0.111*10

0.5

0.7

0.777*10

0.7

0.5

0.889 *10

0.5

0.5

0.333*10

0.5

0.5

0.22 *10

0.5

0.6

1.332*10

0.6

0.7

0.777*10

0.6

0.8

0.026*10

0.798

0.6

0.39 *10

0.598

0.6

2.103*10

0.6

0.7

0.0446*10

0.697

0.7

0.045*10

0.697

0.75

3.997*10

0.7

0.9

0.453*10

0.873

0.7

0.452*10

0.7

0.7

0.045*10

0.697

0.8

0.426*10

0.768

0.8

0.502*10

0.770

0.8

0.026*10

0.750

0.95

0.962*10

0.892

0.75

0.87 *10

0.694

0.75

0.192*10

0.701

0.82

0.702*10

0.778

0.85

1*10

0.790

0.85

0.137*10

0.798

0.97

1.282*10

0.893

0.77

1.071 *10

0.711

0.8

0.554 *10

0.766

0.85

0.9*10

0.790

0.9

1.641*10

0.799

0.92

0.751*10

0.873

2

0.018

0.901

0.9

2.699 *10

0.744

0.84

1.105*10

0.774

0.9

1.618*10

0.803

0.95

1.772*10

0.811

0.94

1.07 *10

0.875

4

0.051

0.911

1.5

0.011

0.862

0.88

1.656*10

0.781

1

3.022*10

0.813

1

3.01 10

0.819

1

2.059 10

0.875

6

0.085

0.918

2

0.018

0.946

0.96

2.762*10

0.794

1.5

0.01

0.896

1.5

0.01

0.853

2

0.019

0.876

8

0.118

0.924

4

0.046

1.255

1

3.317*10

0.801

4

0.045

1.271

3

0.033

0.884

4

0.052

0.889

10

0.151

0.929

6

0.074

1.533

2

0.017

0.961

6

0.074

1.565

5

0.078

0.901

6

0.085

0.904

11

0.176

0.932

8

0.103

1.847

4

0.046

1.263

8

0.102

1.867

8

0.112

0.915

10

0.151

0.925

12

0.184

0933

10

0.131

2.139

10

0.131

2.144

10

0.131

2.148


Идеальный на входе:



Реальный на входе:




  1. Получение характеристик транзистора на выходе:


идеальный реальный


Ek=0.8B; 0.502 *10 A

Ek=0.95 B; 1.74 *10 A

Ek=1.5 B; 0.01 A

Ek=0.7 B; 0.452*10 A

Ek=0.9 B; 2.699*10 A

Ek=1.5 B; 0.011 A

E; B

I; A

U; B

E; B

I; A

U; B

E; B

I; A

U; B

E; B

I; A

U; B

E; B

I; A

U; B

E; B

I; A

U; B

1

2.549*10

0.745

1

9.476 10(-3)

0.052

1

9.721*10(-3)

0.028

1

5.88*10(-3)

0.431

1

8.668 10(-3)

0.033

1

9.769*10(-3)

0.023

5

2.555*10

4.745

5

0.079

0.109

5

0.049

0.051

5

6.32*10(-3)

4.371

5

0.049

0.117

5

0.049

0.082

10

2.556*10

9.744

10

0.096

0.385

10

0.099

0.067

10

7.05*10(-30

9.295

10

0.098

0.224

10

0.098

0.151

20

2.558*10

39.744

30

0.096

20.384

20

0.199

0.086

20

8.362*10(-3)

19.144

20

0.132

6.773

20

0.197

0.282

40

2.558*10

39.744

50

0.096

40.384

40

0.399

0.112

30

0.010

28.993

30

0.156

14.435

30

0.296

0.423

80

2.558*10

79.744

80

0.096

70.384

50

0.499

0.123

50

0.013

48.691

50

0.202

29.759

50

0.414

8.557

90

2.558*10

82.3

90

0.096

90.384

60

0.599

0.135

60

0.015

58.539

60

0.226

37.422

60

0.462

13.767

100

2.558*10

98.1

100

0.096

110.384

80

0.798

0.168

70

0.016

68.388

70

0.249

45.084

70

0.51

18.978

110

2.558*10

110

110

0.096

130.384

100

0.916

8.433

80

0.018

78.237

80

0.273

52.746

80

0.558

24.188

120

2.558*10

118.34

120

0.096

150.384

120

0.916

28.433

90

0.019

88.086

90

0.296

60.408

90

0.647

28.399

130

2.558*10

125.66

130

0.096

170.384

130

0.916

38.433

100

0.02

91.1

100

0.31

69.33

100

0.718

30.122



Идеальный на выходе:



Реальный на выходе:



Н - параметры:

Идеальный транзистор:
H11= Uбэ / Iб = (Uб2 - Uб1) / (Iб2 - Iб1) = (0.811 – 0.799) / (1.772 – 1.641)* = 0.012 / 0.1* =120 Ом
H12 = Uбэ / Ukэ = (Uб2 - Uб1) / (Uk2 - Uk1) = (0.811 – 0.799) / (5 – 0) = 0.012 / 5 = 0.0024
H21= Ik / Iб = (Ik2 - Ik1) / (Iб2 - Iб1) = (0.079 – 2.549) / (1.74 – 0.502)* = 0.0832 / 0.071* = 0.0611*= 61
H22 = Ik / Ukэ = (Ik2 - Ik1) / (Uk2 - Uk1) = (0.099 – 0.096) / (1.5 – 0.95) = 0.003 / 0.55 = 0.005 = 5* См
Реальный транзистор ():
H11 = Uбэ / Iб = (Uб2 - Uб1) / (Iб2 - Iб1) = (0.674 – 0.598) / (0.452 – 0.39) = 0.086 / 0.216*= 344 Ом
H12 = Uбэ / Ukэ = (Uб2 - Uб1) / (Uk2 - Uk1) = (0.701 – 0.694) / (5 – 0) = 0.007 / 5 = 0.0013
H21= Ik / Iб = (Ik2 - Ik1) / (Iб2 - Iб1) = (0.098 – 7.05 10 ) / (2.599 – 0.426)* = 0.09095 / 2.173* = 0.0418* = 41.8
H22 = Ik / Ukэ = (Ik2 - Ik1) / (Uk2 - Uk1) = (9.769 – 9.668) / (1.5 – 0.9) = 0.1* / 0.6 = 1.2*

Похожие:

Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Московский...
Цель работы: Исследовать зависимость тока через нелинейный элемент (НЭ) электрической цепи от напряжения на этом элементе – вольтамперную...
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской федерации федеральное агентство по образованию
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный...
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Нижегородский...
Рекомендовано умо по образованию в области финансов, учёта и мировой экономики в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся...
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию санкт-петербургский...
Одобрены на заседании кафедры «Социально-культурный сервис и туризм», протокол №8 от 19. 03. 2010 г
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconГ осударственное образовательное учреждение высшего профессионального...
Министерство образования и науки российской федерации федеральное агентство по образованию
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Государственное...
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное агентство по образованию
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Санкт-Петербургский...
Одобрено на заседании кафедры «Социально-культурный сервис и туризм», протокол №10 от 27 мая 2009 г
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию гоу впо...
...
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию
Фгу «Государственный научно-исследовательский институт информационных технологий и телекоммуникаций»
Российской Федерации Федеральное агентство по образованию фгбоувпо московский государственный университет печати имени Ивана Федорова iconВ 2013 году для обучения в высших учебных заведениях на конкурсной...
Д. И. Менделеева, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Московскую государственную юридическую академию...
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2014
shkolnie.ru
Главная страница