Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы




НазваниеПланы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы
страница4/48
Дата публикации15.03.2014
Размер1.68 Mb.
ТипПланы семинарских занятий
shkolnie.ru > Право > Планы семинарских занятий
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   48
^

Тема 2.
P-n-переход в твердотельной электронике и микроэлектронике


Вопросы по теме:

  1. Физическая модель p-n-перехода и его основные свойства. Вольт-амперная и вольтфарадная характеристики.

  2. Электрофизические параметры p-n-перехода. Расчет глубин залегания p-n-переходов, плавный и резкий p-n-переходы. Влияние заряда на границах, освещенности, температуры, геометрии (толщины) перехода на электрофизические параметры p-n-перехода. Влияние конечной толщины базы на величину тока насыщения (диод с тонкой базой).

  3. Свойства и работа. P-n-переход при высоких обратных напряжениях (лавинный, туннельный и тепловой пробои). Ударная ионизация и лавинный механизм пробоя. Коэффициенты ударной ионизации, их связь с зонной структурой полупроводника и зависимость от напряженности электрического поля. Коэффициенты умножения. Методы определения коэффициентов ударной ионизации. Влияние температуры на напряжение лавинного пробоя. Пробой неплоского p-n-перехода. Микроплазмы. Способы защиты p-n-переходов от пробоя (охранные кольца, фаски).

  4. Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Туннелирование с участием фононов и примесей в непрямозонных полупроводниках. Туннельная спектроскопия. Избыточные токи в туннельных диодах. Выбор материалов и уровня легирования туннельных диодов. P-n-переход на переменном токе. Процессы, протекающие в тонком p-n-переходе, при подаче малого переменного сигнала. Частотные свойства p-n-перехода. P-n-переход в равновесном и неравновесном состоянии.

  5. Области применения диодных структур на примерах диодов, тиристоров, транзисторов, резисторов, фото- и светодиодов, диодов СВЧ в дискретном и интегральном исполнении.

  6. Структура и Технология изготовления планарного и точечного p-n-переходов (планарного эпитаксиального диода, планарный эпитаксиальный транзистор) – технологический цикл изготовления. Связь электрофизических параметров p-n-перехода с его топологией и технологическими условиями получения.

Список литературы по теме

Основной:

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

  2. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: Учеб. пособие. – Томск: Изд-во НТЛ, 2000. – 426 с.

  3. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М: Наука, 1977. – 672 с.

  4. Шалимова К.В. Физика полупроводников: Учебник для вузов. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 392 с.

  5. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников: Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Технология специальных материалов электронной техники». – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1984. – 352 с.

  6. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – 5-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2001. – 480 с.

  7. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – 6-е изд., стер. – СПб.: Лань, 2002. – 480 с.

  8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» – 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 1987. – 479 с.

  9. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Радио и связь, 1990. – 262 с.

  10. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Сов. радио, 1980. – 296 с.

  11. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. – М.: Мир, 1989. – 630 с.

Дополнительной:

  1. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. – М.: Наука, 1965. – 448 с. (Серия «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов»).

  2. Шур М.С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. Ю.Д. Биленко, В.Л. Видро. – М.: Мир, 1992. – 479 с.

  3. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991. – 528 с.

  4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

  5. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. – М.: Сов. радио, 1969. – 592 с.

  6. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику: Пер. с япон. В.В. Комарова, М.Е. Панюкова. – М.: Мир, 1988. – 320 с.

  7. Вениаминов В.Н., Лебедев О.Н., Мирошниченко А.И. Микросхемы и их применение: Справ. пособие. – М.: Радио и связь, 1989. – 240 с.

  8. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника: Пер. с исп. С.И. Баскакова / Под ред. В.А. Терехова. – М.: Высш. шк., 1991. – 352 с.

  9. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004. – 488 с.

  10. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для вузов – М.: Сов. радио, 1980. – 424 с.

  11. Левин С.Н. Основы полупроводниовой микроэлектроники: Пер с англ. А.А. Визеля / Под ред. А.А. Маслова. – М.: Сов радио, 1966. – 244 с.

  12. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологческие основы, надежность: Учеб. пособие. – М.: Высш. шк., 1986. – 464 с.

  13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологческие основы, надежность: Учеб. пособие. – М.: Высш. шк., 1977. – 416 с.

  14. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Основы полупроводниковой электроники: Учеб. пособие – М.: Горячая линия-Телеком, 2005. – 392 с.

  15. Протасов Ю.С., Чувашев С.Н. Твердотельная электроника – М.: Изд-во МГТУ, 2003. – 480 с.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   48

Похожие:

Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconПланы семинарских занятий по дисциплине муниципальное право россии
Муниципальное право России. Автор: Симканич О. М. Планы семинарских занятий – Нижний Новгород, Нижегородский государственный университет...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconАртамонова Анна Владимировна
Балашовское музыкальное училище; в настоящее время студентка 4 курса заочной формы обучения "Саратовский государственный университет...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconУчебное управление личнаякнижк астудента II курса дневного отделения планы учебных занятий
Планы семинарских занятий по философии для студентов: Учебно-методические указания /Сост. С. А. Клишина, Т. А. Левченкова, Л. В....
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconПримерная программа учебной дисциплины химия для профессий начального...
Чуриков А. В., профессор кафедры физической химии гоу впо «Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского», доктор...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconРоссийской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное...
Экономика: Планы семинарских занятий для студентов неэкономических специальностей / Пермский национальный исследовательский политехнический...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconПланы семинарских занятий по курсу «Теория мирового политического...
...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconВлияние острого отравления хлорированными углеводородами на фагоцитарно-метаболическую...
Саратовский государственный медицинский университет Саратовский военный институт радиационной, химической и биологической защиты
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconМетодические рекомендации по изучению отдельных тем курса Планы семинарских...
Учебно-методические материалы (на основе кредитно-модульной системы организации учебного процесса): для студентов специальности «Правоведение»...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconДиффузный токсический зоб: прогнозирование развития, течения и оптимизация...
Работа выполнена в Государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Саратовский государственный...
Планы семинарских занятий Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского А. И. Михайлов, С. А. Сергеев, Е. Г. Глуховской физические основы iconВ 2013 году для обучения в высших учебных заведениях на конкурсной...
Д. И. Менделеева, Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Московскую государственную юридическую академию...
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2014
shkolnie.ru
Главная страница