Учебно-методический комплекс информация о дисциплине




НазваниеУчебно-методический комплекс информация о дисциплине
страница2/9
Дата публикации28.02.2013
Размер0.85 Mb.
ТипУчебно-методический комплекс
shkolnie.ru > Журналистика > Учебно-методический комплекс
1   2   3   4   5   6   7   8   9


^ 1.2.3. Перечень видов практических занятий и контроля:

- одна контрольная работа (для очно-заочной и заочной форм обучения);

- лабораторные работы;

- тесты по разделам дисциплины;

- экзамен.

^ 2. РАБОЧИЕ УЧЕБНЫЕ МАТЕРИЛЫ
2.1. РАБОЧАЯ ПРОГРАММА (70 часов)
Введение (1 час)

2, с.3;

Предмет изучаемой дисциплины. Роль микроэлектронных средств в научно-техническом прогрессе. Интегральная и функциональная электроника - основа всех современных систем РЭА.
^ Раздел 1. Конструкторско-технологические основы микроэлектроники (23 часа)

    1. Основные направления и факторы, определяющие развитие интегральной и функциональной электроники (5 часов)

2, с.8 ....14; 3, с.5 ... 8

Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Технологии, базирующиеся на использовании новых материалов, результатов фундаментальных исследований и открытий, как основа повышения эффективности производства и качества изделий микроэлектронной техники и РЭС в целом.

Классификация ИМС и система условных обозначений; элементы интегральных схем; технико-экономические аспекты производства и эксплуатации ИМС. Охрана окружающей среды от загрязнения отходами производства ИМС.

Основные положения теории надежности. Показатели надежности ИМС. Радиационная стойкость ИМС. Тестовый метод оценки надежности ИМС. Имитационные методы оценки надежности ИМС.

^ 1.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы (10 часов)

2, с. 15 ... 40, 50 ... 74, 109 ... 117,

3, с. 169 ... 176, 200 ... 255

Особенности, этапы и классификация методов изготовления полупроводниковых ИМС.

Общая характеристика технологического процесса производства полупроводниковых ИМС. Особенности технологии. Типы структур. Технологические ограничения плотности упаковки и степени интеграции микросхем. Подложки полупроводниковых ИМС. Схема технологического процесса изготовления полупроводниковых микросхем эпитаксиально-планарной структуры со скрытым слоем.

Формирование диэлектрических покрытий. Термическое окисление кремния. Осаждение пленок. Электрическая изоляция элементов микросхем: диэлектрическая изоляция, изоляция обратносмещённым p—n-переходом, комбинированные методы изоляции.

Фотолитография. Схема технологического процесса. Перспективные методы литографии: рентгеновская, электронная, ионная.

Диффузия. Физические основы процесса. Термическая диффузия примесей. Легирование методом ионного внедрения. Профили распределения примеси. Эпитаксия. Особенности технологии и оборудование.

Металлизация кремниевых структур. Металлизация алюминием. Многослойные системы металлизации. Периферийные контакты.

Технология сборки и монтажа микросхем. Конструктивно-технологические характеристики корпусов микросхем. Крепление подложек и кристаллов. Присоединение выводов. Сборка микросхем на ленточных носителях. Герметизация микросхем.

Особенности технологии больших интегральных схем (БИС) и сверхбольших интегральных схем (СБИС).

Элементы полупроводниковых интегральных микросхем.

Характеристики p-n переходов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторные структуры ИМС и их топология. Планарно-эпитаксиальные транзисторы: основные параметры, характеристики и топология. Транзисторы с барьерами Шотки, многоэмиттерные транзисторы, многоколлекторные транзисторы. Диодное включение транзисторов, параметры диодов при различных схемах включения.

МДП-транзисторы. Устройство МДП-транзисторов. ИМС с p и n каналами, их основные характеристики и параметры. Полевые транзисторы.

Пассивные элементы полупроводниковых ИМС (резисторы и конденсаторы), их топология и характеристики.

Полупроводниковые биполярные ИМС с изоляцией pn-переходом. Биполярные ИМС с диэлектрической и комбинированной изоляцией.

Совмещённые ИМС. Этапы разработки и проектирования полупроводниковых ИМС. МДП и КМДП ИМС.
^ 1.3. Гибридные интегральные микросхемы (8 часов)

2, с. 42 ... 50; 3, с. 340 ... 367
Основные технологические процессы, применяемые при производстве тонкопленочных и толстопленочных гибридных интегральных схем (ГИС) и их классификация.

Изготовление тонкопленочных ГИС. Схема технологического процесса. Подложки для тонкопленочных ГИС и методы их подготовки.

Методы нанесения тонких пленок: термическое испарение в вакууме (метод термического испарения, испарение электронной бомбардировкой, лазерное испарение, испарение материала методом электрического взрыва), ионные (элионные) методы осаждения тонких пленок (катодное и ионное распыление постоянным током в дуговом разряде, ионно-термический метод напыления тонких пленок), плазменно-струйное напыление, разложение элементоорганических соединений (ЭОС) для получения тонких пленок (пиролиз ЭОС в вакууме, пиролиз в инертной среде и среде активных газов). Применяемое оборудование и его характеристики.

Методы формирования рисунка пленочных элементов на подложке.

Технология изготовления толстопленочных ГИС. Схема технологического процесса. Подложки для толстопленочных ГИС.

Методы получения толстых пленок: трафаретная и контактная печать. Изготовление трафаретов. Пасты для толстопленочной технологии. Процесс сушки и вжигания. Технико-экономические показатели толстопленочной технологии. Технологическое оборудование.

Точность воспроизведения и подгонка параметров тонко- и толстопленочных элементов.

Элементы гибридных интегральных микросхем .

Подложки: основные требования к материалу подложки, унификация габаритных размеров.

Пленочные резисторы: конструкции, параметры, характеристики используемых материалов. Расчет прямоугольных пленочных резисторов при заданных номинальных значениях сопротивления мощности рассеяния, допуске сопротивления, максимальной рабочей температуре, точности воспроизведения удельного сопротивления, ширины и длины резистора. Расчёт пленочных резисторов типа "меандр"; их оптимальная конфигурация. Частотные свойства пленочных резисторов; влияние формы и размеров резисторов на предельную рабочую частоту низкоомных и высокоомных пленочных резисторов. Конструкция и расчет подгоняемых резисторов при ступенчатой и плавной подгонке.

Конструкция и расчет системы тонкопленочной коммутации и переходных контактов. Характеристики материалов для переходных контактов и коммутирующих проводников. Типы контактов. Расчет переходного сопротивления пленочных контактов. Контакты с переменным сечением и формой контактного участка. Конструкции сварных и паяных контактов, контакты с балочными, паучковыми и шариковыми выводами. Надежность контактов.

Конструкции пленочных конденсаторов: многослойные и гребенчатые пленочные конденсаторы. Характеристики используемых материалов и параметры пленочных конденсаторов. Расчет пленочных конденсаторов по заданному номинальному значению емкости, рабочему напряжению, допуску емкости, максимальной рабочей температуре, точности воспроизведения удельной емкости и геометрических размеров конденсатора.

Добротность, частотные свойства и надежность пленочных конденсаторов.

Расчет пленочных конденсаторов с повышенной точностью номинала и с подгоняемой емкостью.

Конструирование и расчет пленочных индуктивностей, выполненных в виде круглой и квадратной спирали. Влияние геометрических размеров и используемых материалов на индуктивность и добротность пленочных катушек. Точность пленочных индуктивностей и методы подстройки.

Избирательные элементы в интегральных схемах, схемные аналоги индуктивности.

Пленочные ^ RC-структуры с распределенными параметрами. Структуры однородные, неоднородные, со ступенчатым изменением параметров. Конструкции фильтров на RC-структурах с распределенными параметрами.

Термокомпенсация параметров фильтров на ^ RC-структурах. Точность RC-структур и ее обеспечение. Надежность RC-структур.

Пленочные LC-структуры и построение избирательных высокочастотных устройств на них. Влияние взаимного расположения на формы пленочных L и C элементов, используемых материалов и методов компенсации связей между катушками на частотные свойства ГИС.

Точные резистивные и емкостные цепи. Конструктивные решения, обеспечивающие высокую относительную точность и стабильность резистивные и емкостных делителей напряжения, симметричных и измерительных схем. Расчет относительной точности.

Пленочные вакуумные приборы. Конструкции и область применения. Стойкость к радиации и перегреву. Влияние геометрии, материалов и взаимного расположения пленочных вакуумных приборов на их характеристики.

Активные элементы ГИС. Проблемы создания пленочных активных приборов в микроэлектронике. Конструкции и основные электрические параметры пленочных полевых триодов с изолированным затвором, пленочных диодов и диодных матриц. Навесные активные элементы: основные типы, конструктивные и электрические параметры, методы герметизации бескорпусных триодов и диодов, транзисторных и диодных матриц.

Навесные конденсаторы, матрицы конденсаторов и катушки индуктивности. Основные типы, конструктивные и электрические параметры.

Основные понятия теории качества. Назначение и виды контроля. Контроль полупроводниковых и гибридных ИМС. Измерение статистических и динамических параметров ИМС. Контроль БИС. Методы неразрушающего контроля качества ИМС.
Раздел 2. Основы интегральной электроники (26 часов)
^ 2.1. Цифровые интегральные микросхемы (10 часов)

1, с. 83 ... 110, 2, с. 180…197

Базовые логические элементы (ЛЭ) на основе биполярных транзисторов: транзисторная логика с непосредственными связями и ее варианты (ТЛНС), транзисторная логика с эмиттерными связями (ТЛЭС), диодно-транзисторная логика (ДТЛ), транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) и ТТЛ с диодом Шотки (ТТЛШ), логические элементы БИС с инжекционным питанием. Их основные параметры и характеристики: логические уровни, входная, выходная и передаточная характеристики, помехоустойчивость, нагрузочная способность, рассеиваемая мощность, среднее время задержки переключения. Микромощные логические ИМС.

Базовые ЛЭ на основе полевых (МДП)-транзисторов, разновидности ключевых схем (п - МДП и КМДП), их конструкция, характеристики и параметры.

Связь быстродействия и потребляемой мощности вычислительного устройства с размерами активных элементов, плотностью их упаковки, степенью интеграции. Тенденция развития цифровых ИМС.
^ 2.2. Запоминающие логические элементы (8 часов)

1, с. 83 ... 110, 2, с.202 ... 214

Элементы памяти статического типа на МДП-транзисторах. Элементы памяти динамического типа на МДП-транзисторах. Элементы микросхем репрограммируемых постоянных запоминающих устройств. Элементы памяти на биполярных транзисторах.
^ 2.3. Аналоговые интегральные микросхемы (8 часов)

1, с. 123 ... 167, 2, с. 202 ... 214, 228 ... 252

Аналоговые (линейные) ИМС. Основные схемотехнические решения (дифференциальный каскад, динамическая нагрузка, генераторы тока и напряжения, делители напряжения, стабилизаторы напряжения и тока и другие). Операционные усилители. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.


^ Раздел 3. Основы функциональной электроники (19 часов)

2, с . 253 ... 270, 4, с. 367 ... 408, 3, с. 456 ... 457

Роль и место функциональной МЭ в микроминиатюризации РЭА. Основные направления развития функциональной микроэлектроники (ФМЭ): квантовая МЭ, диэлектрическая электроника, оптоэлектроника, магнетоэлектроника, акустоэлектроника, хемотроника, криотроника, биоэлектроника. Элементы ФМЭ: фотоэлектрические и излучательные приборы, оптроны, световоды, оптоэлектронные ИМС; ультразвуковые линии задержки (ЛЗ), резонаторы, акустические преобразователи, усилители; диэлектрические диоды и транзисторы; электрохимические управляемые сопротивления, электрохимические ячейки памяти, ионисторы; приборы на основе эффекта Ганна; приборы на основе эффекта Джозефсона; приборы с зарядовой связью (ПЗС). Устройство и принцип действия.
Заключение (1 час)

Потенциальные возможности интегральной МЭ. Физические и технологические ограничения интегральной электроники. Субмикронная МЭ. Переход от электроники статистических неоднородностей к электронике динамических неоднородностей — шаг на пути дальнейшего развития функциональной МЭ. Основные направления развития МЭ.

^ 2.2. Тематический план дисциплины

2.2.1. Тематический план дисциплины

для студентов очно-заочной формы обучения

№ п/п

Наименование

раздела,

(отдельной темы)

Кол-во часов по очной форме обучения
^

Виды занятий и контроля


лекции


ЛР

Самостоятель­ная работа

Тесты

Контрольные работы

ЛР

аудит.

ДОТ

аудит.


ДОТ

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

ВСЕГО

70

8

16

8

10

28

3

1

4




Введение

1




0,5







0,5










1.

Раздел 1. Конструкторско-технологические основы микроэлектроники

23

3

7

4

4

5

№1







1.1

Основные направ-ления и факторы, определяющие развитие интеграль-ной и функциональ-ной электроники

5




3







2










1.2

Полупроводниковые интегральные микросхемы

10

2

2

2

2

2







№1

1.3

Гибридные интегральные микросхемы

8

1

2

2

2

1




№1

№2

2

Раздел 2. Основы интегральной электроники

26

3

4

2

4

13

№2







2.1

Цифровые интегральные микросхемы

10

1

2







7










2.2

Запоминающие логические элементы

8

1

1







6










2.3

Аналоговые интегральные микросхемы

8

1

1

2

4










№ 3

3

Раздел 3. Основы функциональной электроники

19

2

4

2

2

9

№3




№ 4




Заключение

1




0,5







0,5









1   2   3   4   5   6   7   8   9

Похожие:

Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс курс по выбору по дисциплине « дв4»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « Б2»
Учебно-методический комплекс (далее умк) по дисциплине «Информатика» разработан в соответствии с требованиями фгос впо к обязательному...
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине «Информатика»
Учебно-методический комплекс по дисциплине «Использование современных информационных и коммуникационных технологий» разработан в...
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине «Информатика»
Учебно-методический комплекс по дисциплине «Использование современных информационных и коммуникационных технологий» разработан в...
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « дв6»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « дв6»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « дв12»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « дв12»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине « дв32»
Учебно-методический комплекс по дисциплине " Технические и аудиовизуальные средства обучения"
Учебно-методический комплекс информация о дисциплине iconУчебно-методический комплекс по дисциплине дн(М). Дв3
Учебно-методический комплекс по дисциплине «Логическое программирование» разработан в соответствии с требованиями фгос впо к обязательному...
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2014
shkolnie.ru
Главная страница