Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ




Скачать 25.21 Kb.
НазваниеТехнология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ
Дата публикации09.09.2014
Размер25.21 Kb.
ТипРеферат
shkolnie.ru > Химия > Реферат

Технология СБИС

Курс лекций. Объем - 36 часов.
Составитель: доцент КОФ ПетрГУ
Назаров А.И.

nazarov@mainpgu.karelia.ru

Содержание курса

Введение

  • Этапы промышленной электроники

  • Тенденции развития современной микроэлектроники

kremn_a.htmlk
remn_a.html
Способы получения кремния


  • Преимущества кремниевой технологии. Требования к кремнию как к материалу для микроэлектронной промышленности

  • Получение металлургического и электронного кремния, как исходного материала для производства СБИС

  • Структура и дефекты в монокристаллическом кремнии

  • Выращивание кремния по методу Чохральского

  • Выращивание кремния по методом зонной плавки

epitvved_a.htmle
pitvved_a.html
Технология получения эпитаксиальных пленок


  • Причина появления технологии изготовления эпитаксиальных пленок и их преимущества

  • Эпитаксия из газовой фазы

  • Молекулярно-лучевая эпитаксия

kni_a.htmlk
ni_a.html
Кремний на изоляторе


  • КНИ технология

  • КНС технология

okisl_a.htmlo
kisl_a.html
Окисление кремния


  • Использование SiO2 в производстве СБИС

  • Механизм роста термической двуокиси кремния

  • Пиролитическое осаждение пленок

  • Плазмохимическое окисление

  • Дефекты в окисных пленках

difuzia_a.htmld
ifuzia_a.html
Диффузия


  • Назначение диффузии

  • Механизмы диффузии

  • Модели диффузии: диффузия из ограниченного и бесконечного источника

  • Способы измерения диффузионного профиля

ionimpl_a.htmli
onimpl_a.html
Ионная имплантация


  • Назначение и преимущества данного метода

  • Установка для ионной имплантации

  • Дефекты при ионной имплантации и способы их устранения

  • Применение ионной имплантации в технологии СБИС

metall_a.htmlm
etall_a.html
Металлизация


  • Назначение и требования к металлизации в производстве СБИС

  • Способы металлизации и оборудование

  • Проблемы металлизации и способы их устранения

lit_a.htmll
it_a.html
Литография


  • Оптическая литография

  • Электронно-лучевая литография

  • Рентгеновская литография

techmop_a.htmlt
echmop_a.html
Основы n-МОП технологии производства СБИС

techkmop_a.htmlt
echkmop_a.html
Основы технологии производства КМОП СБИС


technbip_a.htmlt
echnbip_a.html
Основы технологии производства биполярных СБИС


diagnos_a.htmld
iagnos_a.html
Методы контроля и диагностики элементов СБИС


  • Исследование морфологии пленок

  • Исследование химического состава пленок

  • Изучение кристаллографической структуры

Литература

1. Зи С. Технология СБИС. М.: - 1986. - 1, 2 т.
2. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М. -1989 - 630 с.
^ 3. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы. М.: - 1985 - 504 с.
4. Броудай И., Меррей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир. - 1985 - 494 с.
5. Таури Я. Основы технологии СБИС. М.: Радио и связь. - 1985 - 480 с.
6. Пархутик В.П. , Лабунов В.А. " Плазменное анодирование"
7. Lucent Bell Laboratoties MicroScapes galleries - 1996.
8. Fullman company. The semiconductor manufactoring process.







Ваши предложения и вопросы отправляйте по адресу:

nazarov@mainpgu.karelia.ru




vlsi0_a.htmlv
lsi0_a.htmlhttp://www.kgtu.runnet.ru/h
ttp://www.kgtu.runnet.ru/

Похожие:

Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconКурс лекций материаловедение автор доцент В. М. Александров Архангельск...
Диаграммы состояния с эвтектическим, перитекти- ческим и эвтектойдным превращением
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconСтудентов Всего аудиторных часов по дисциплине 344 Всего часов по...
Учреждение образования Федерации профсоюзов Беларуси «Международный институт трудовых и социальных отношений»
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconКурс лекций Валерий Васильевич Вандышев Уголовный процесс. Курс лекций...
В 17 Уголовный процесс. Курс лекций. — Спб.: Питер, 2002. — 528 с. — (Серия «Учебники для вузов»)
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconПрограмма дисциплины утверждаю
Составитель – Басалаева Елена Геннадьевна, канд филол наук, доцент, доцент кафедры теории языка и межкультурной коммуникации
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconПрограмма дисциплины утверждаю
Составитель: Басалаева Елена Геннадьевна, канд филол наук, доцент, доцент кафедры теории языка и межкультурной коммуникации
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconКурс лекций Харьков 2002 Рецензенты: директор Института социальных...
Курс лекций по истории политических и правовых учений подготовлен в соответствии с программой данной дисциплины, с
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconНа научно-образовательный материал «Курс видео-лекций по дисциплине...
Рассматриваемый курс видео-лекций может быть использован в системе повышения квалификации специалистов электроэнергетического профиля,...
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconПрограмма элективного курса
Курс «История сословий в России» рассчитана на 17 часов для изучения в 10 классе профильной школы. Он охватывает период с IX до конца...
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconКурс лекций москва инфра-м 2002 Кононенко Б. И. Основы культурологии: Курс лекций. М.: Инфра-м
В нем в доступной форме раскрываются и выделяют­ся шрифтовой гаммой основные категории и пеня;!' I, что позволит сту­дентам быстро...
Технология сбис курс лекций. Объем 36 часов. Составитель: доцент коф петрГУ iconКурс лекций москва издательство "юридическая литература" 1997
Атаманчук Г. В. Теория государственного управления. Kvpc лекций — М.: Юрид лит., 1997. — 400 с
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2014
shkolnie.ru
Главная страница