Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009




Скачать 167.05 Kb.
НазваниеПрактикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009
Дата публикации09.03.2014
Размер167.05 Kb.
ТипРеферат
shkolnie.ru > Физика > Реферат


ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Нижегородский государственный университет

им. Н.И. Лобачевского

Физический факультет
Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники


Фотопроводимость в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs
Практикум


Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология»

Нижний Новгород

2009

УДК 620.22р

ВВК 30.3(077)

Г 70


Фотопроводимость в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs: Практикум. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2009. – 16 с.

Составители: старший преподаватель А.П. Горшков, профессор И.А. Карпович, инженер Л.А. Истомин Кафедра физики полупроводников и оптоэлектроники физического факультета ННГУ.
Рецензент: зав. лаб. НИФТИ ННГУ,

к.ф.-м.н. Ю.А. Данилов.

В работе описаны физические основы барьерной фотопроводимости в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs и методики измерения спектральных и люкс-амперных зависимостей фотопровдимости в таких структурах, иллюстр. – 8. Описание подготовлено при поддержке Минобрнауки РФ (проекты РНП.2.2.2.3.8001, РНП.2.2.2.2/4297) и CRDF грант BP4M01.

УДК 620.22р

ВВК 30.3(077)

Содержание
стр.


Цель работы: ознакомление с методами фотоэлектрической спектроскопии гетеронаноструктур с квантовыми точками. Освоение методик измерения спектральных и люкс-амперных зависимостей фотопроводимости гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs.
Аппаратура: монохроматор с дифракционной решеткой, автоматизированная измерительная схема с селективным усилителем и синхронным детектором, компьютер.
^ Содержание работы: измерение спектров фотопроводимости гетеронаноструктур с квантовыми точками, определение природы наблюдаемой в эксперименте фотопроводимости.

Введение
В последние годы не ослабевает интерес исследователей к изучению фотоэлектрических свойств квантово-размерных гетеронаноструктур (ГНС) на основе прямозонных полупроводников А3В5, содержащих слои квантовых ям и квантовых точек (КТ). Помимо интереса к фундаментальным свойствам квантово-размерных структур ведутся и прикладные исследования, связанные с применением их в приборах опто- и наноэлектроники для создания высокоэффективных светодиодов, лазеров, фотоприемников, газовых сенсоров [1, 2], элементов памяти [3, 4], приборов спинтроники [5].

Целью данной лабораторной работы является ознакомление с методом фотоэлектрической спектроскопии, основанным на исследовании спектров барьерной фотопроводимости структур с КТ, и его применением для определения энергетического спектра КТ InAs/GaAs. Исследуются структуры с самоорганизованными КТ, выращенные методом газофазной эпитаксии.

^ 1. Исследуемые гетеронаноструктуры
В работе исследуются ГНС с КТ InAs/GaAs, выращенные в НИФТИ ННГУ методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС) при атмосферном давлении водорода – газа-носителя паров МОС. Для исследования фотопроводимости ГНС выращиваются на полуизолирующей (s-) подложке GaAs. Схема ГНС приведена на (рис. 1). На поверхности (100) монокристаллической подложки s-GaAs при температуре 650 0C выращивается легированный оловом буферный слой n-GaAs (n ~ 1016 см-3) толщиной  0,6 мкм, затем при температуре 520 0C выращивается слой КТ InAs номинальной толщины dD  1,5 нм (  5 монослоев). Для получения более однородных по размерам КТ в процессе осаждения слой КТ легируется висмутом. Заключительная операция выращивания – нанесение покровного слоя GaAs при 520 0C. Обычно при исследовании фотоэлектрических спектров используются структуры с относительно тонким покровным слоем GaAs 20 – 50 нм при котором слой КТ встроен в область сильного поля приповерхностного барьера, обедненного основными носителями.

Рис. 1. Схема ГНС InAs/GaAs с одиночным слоем КТ.

^ 2. Барьерная и объемная фотопроводимость ГНС
Фотопроводимостью (ФП) называется изменение проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения:

ф = с0, (1)

где 0 и с – проводимость в темноте и при освещении соответственно. Дальше под ф мы будем иметь в виду так называемую приведенную к поверхностной фотопроводимость

ф = ф(l/b), (2)

где ф – изменение проводимости всего образца, l – расстояние между электродами и b – ширина планарных электродов. Величина ф имеет смысл удельной поверхностной фотопроводимости (ом-1/). В эпитаксиальных слоях полупроводников типа GaAs и ГНС на их основе кроме обычной объемной ФП, связанной с оптической генерацией неравновесных носителей в полупроводнике, необходимо учитывать и так называемую барьерную ФП (БФП). Она обусловлена пространственным разделением неравновесных электронно-дырочных пар на поверхностном и внутреннем (слой/подложка) барьерах, приводящим к изменению ширины квазинейтральной области [6]. Планарную фотопроводимость слоя на полуизолирующей подложке можно представить в виде:

ф = ф0 + ф1 + ф2, (3)

где ф0 – объёмная ФП, ф1 и ф2 – БФП, обусловленная изменением ширины поверхностного и внутреннего барьеров при освещении.

Объемная фотопроводимость может быть записана в виде:

ф0 = qKJ0(nn + pp), (4)

где – квантовый выход поглощенного излучения, Kинтегральный коэффициент поглощения слоя, J0 – интенсивность падающего излучения [см-2 с-1], n и p – подвижности, n и p – времена жизни электронов и дырок соответственно. Обычно время жизни основных носителей много больше времени жизни неосновных носителей и объемная ФП носит монополярный характер.

На рис. 2 показана энергетическая диаграмма эпитаксиального слоя GaAs n-типа на полуизолирующей (s-) подложке GaAs. Как известно, на свободной поверхности проводящего GaAs n- и p-типа всегда имеется хорошо выраженный обедненный слой благодаря закреплению (пиннингу) уровня Ферми на поверхности вблизи середины запрещенной зоны [7]. Высота поверхностного барьера обычно составляет около 0,6 эВ, а его ширина W1 ≈ 0,25 мкм при уровне легирования слоя GaAs ~ 1016 см-3. На границе раздела проводящего эпитаксиального слоя c s-GaAs также образуется барьер (внутренний n-s-барьер) несколько меньшей высоты, обусловленный большим различием значений концентрации носителей в этих областях. Из-за наличия глубоких уровней вблизи середины запрещенной зоны GaAs с высокой концентрацией ~1016 см3 n-s- барьер не весь находится в полуизоляторе, а значительная его часть находится в проводящем слое GaAs.


Рис. 2. Энергетическая диаграмма слоя n-GaAs на полуизоляторе, иллюстрирующая механизм БФП. Пунктиром показано изменение диаграммы при освещении. Заливкой обозначена квазинейтральная область в темноте.
При освещении излучением с энергией квантов > Eg – ширины запрещенной зоны GaAs часть образующихся неравновесных электронно- дырочных пар разделяется в электрическом поле обоих барьеров, что приводит к понижению их высоты на величину возникшей на каждом барьере фотоэдс и уменьшению значений их ширины на величины W1 и W2 в проводящем слое. Ширина квазинейтральной области в слое увеличивается при этом на величину W1 + W2. Это приводит к возникновению БФП

ф1 + ф2 = 0 (W1 + W2 ), (5)

если объемная ФП ф << 0. Было установлено, что в проводящих эпитаксиальных слоях полупроводников типа GaAs и в квантово-размерных гетеронаноструктурах на их основе ФП в обычных условиях имеет барьерную природу [6], т.е. в результате изменения ширины квазинейтральной области происходит значительно большее увеличение проводимости, чем в результате непосредственного участия неравновесных носителей в проводимости (эффект фотоэлектрического усиления на барьере).

При низком уровне фотовозбуждения в приближении барьера Шоттки БФП на поверхностном барьере определяется выражением [6]:

(6)

где l0 – дебаевская длина экранирования, Y1 и Yф1 – высота поверхностного барьера в темноте и его изменение при освещении (фотоэдс) соответственно в единицах kT (Y1 = 1/kT, Yф1 = qVф1/kT).

Выражение (6) показывает непосредственную связь БФП с фотоэдс на барьере: фотоэдс отражает изменение высоты барьера при освещении, а БФП – изменение его ширины. Зависимость Yф1 от интенсивности освещения для всех типов барьеров имеет вид:

(7)

где В - некоторая константа, физический смысл и связь которой с параметрами полупроводника раскрываются в теории фотоэдс для конкретных барьеров. Подобная, близкая к логарифмической зависимость от интенсивности освещения должна наблюдаться и для ФП, что является характерным признаком БФП.

Другим признаком БФП является ее зависимость от интенсивности постоянной подсветки. Для выяснения этой зависимости структуру освещают слабым модулированным монохроматическим светом с интенсивностью J0 и достаточно сильной постоянной подсветкой с интенсивностью JП >> J0. Для малосигнальной БФП, измеряемой при модулированной освещении J0 на фоне интенсивной постоянной подсветки, дифференцируя (6) с учетом (7) можно получить:

(8)

где ф1 и Yф1 - значения БФП и поверхностной фотоэдс при подсветке, С(h) коэффициент, учитывающий спектральную зависимость фотоэдс. БФП, как и фотоэдс, уменьшается при подсветке приблизительно обратно пропорционально JП. Из (8) также следует, что спектры барьерной ФП и фотоэдс должны совпадать, если они измерены на одном и том же барьере.

Экспериментальные исследования, проведенные на эпитаксиальных слоях GaAs и InP и на ГНС с квантовой ямой InGaAs/GaAs, показали хорошее качественное и количественное согласие барьерной модели ФП с экспериментом. При относительно низких уровнях освещения БФП в широком диапазоне логарифмически зависит от интенсивности освещения (рис. 3) и на 2-3 порядка превышает объёмную ФП.


Рис. 3. Зависимость ФП слоя GaAs от интенсивности освещения [6].
В этом проявляется эффект фотоэлектрического усиления на барьере: изменение высоты поверхностного и внутреннего барьеров, обусловленное разделением на них неравновесных носителей, управляет шириной проводящего канала. При этом происходит значительно большее изменение продольного тока, чем в результате непосредственного участия неравновесных носителей в проводимости. На образце с низкой концентрацией основных носителей (n0 ~ 1014 см-3) при высоких интенсивностях наблюдалось отклонение от логарифмической зависимости (рис. 6), обусловленное заметным вкладом объёмной ФП, которая при J0 ~ 1018 см-2 с-1 становится примерно равной БФП [6]. Для слоёв с обычной концентрацией носителей ~ 1016 см-3 для такого равенства потребовался бы на порядок более высокий уровень фотовозбуждения.

В согласии с теорией малосигнальная ФП уменьшается обратно пропорционально интенсивности подсветки JП (рис. 4).

Расчет БФП на внутреннем барьере ф2 представляет большие трудности из-за его неоднородной примесно-дефектной структуры. При освещении происходит изменение высоты и ширины всего n-s-барьера, но в создании БФП участвует изменение ширины только части барьера W2, локализованной в проводящем слое. Интересно, что БФП на внутреннем барьере в проводящем слое может наблюдаться при фотовозбуждении глубоких примесных центров в s-GaAs.


Рис. 4. Зависимость ФП от интенсивности подсветки [6].
Без подсветки в барьерной ФП обычно доминирует вклад поверхностного барьера, при интенсивной коротковолновой подсветке в толстых слоях – вклад внутреннего барьера, поскольку при подсветке его высота уменьшается слабее, чем высота поверхностного барьера.

^ 3. Фотопроводимость в ГНС КТ InAs/GaAs
Рассмотрим теперь ФП в ГНС с встроенным в поверхностный барьер слоем КТ InAs/GaAs. Энергетическая диаграмма структуры показана на рис. 5.


Рис. 5. Энергетическая диаграмма ГНС типа InAs/GaAs, содержащей слои КТ, встроенный в поверхностный барьер. Стрелками 1, 2 показаны возможные механизмы эмиссии электронов из КТ.
Если энергия фотонов равна разности энергий уровней размерного квантования электронов и дырок в КТ, т.е. h = Ee1 - Ehh1, они будут поглощаться КТ и создавать в ней неравновесные электроны и дырки. Для возникновения барьерной фотопроводимости в ГНС в этой области спектра необходима эмиссия фотовозбужденных носителей из слоя КТ и их пространственное разделение в поле барьера. Для этого слой КТ встраивают в область сильного поля барьера. В достаточно сильном поле появляется возможность не только надбарьерной термической эмиссии носителей из квантово-размерного слоя (стрелка 1), но и термоактивированной туннельной эмиссии через возбужденное состояние (не показана на рис. 5), а также эмиссии посредством прямого туннелирования через сниженный полем (эффект Пула-Френкеля) треугольный барьер (стрелка 2). Эмиссия носителей из КТ и их разделение полем поверхностного барьера приводят к понижению его высоты и уменьшению его ширины, т.е. к возникновению БФП на этом барьере, как и при межзонном фотовозбуждении матрицы GaAs.

Эффективность эмиссии электронов из КТ eD зависит от начальной высоты эмиссионного барьера, напряженности электрического поля в окрестности КТ и температуры и определяется выражением:

(9)

где e - время жизни электронов в КТ, определяемое эмиссией, а r - время жизни, определяемое всеми каналами конкурирующих с эмиссией процессов рекомбинации электрона.

Если слой КТ встроен в квазинейтральной области на некотором расстоянии от поверхностного барьера, то внутренняя фотоэлектрическая квантовая эффективность излучения, поглощённого КТ, D, если определить её как отношение числа пар, разделённых барьером, к числу поглощённых фотонов, будет определяется выражением:

D = DeD , (10)

где D -коэффициент оптического поглощения КТ, – коэффициент диффузионного переноса пар к барьеру. Предполагается, что каждый поглощённый фотон создаёт в КТ электронно-дырочную пару и все пары, достигшие барьера, разделяются им. При встраивании слоя КТ в область достаточно сильного поля барьера = 1, eD= 1 и величина D = D, т.е. определяется только коэффициентом поглощения КТ.

В спектральной области поглощения КТ вклад в ФП могут вносить носители, возникающие при фотовозбуждении дефектных центров не только в ГНС, но и в полуизолирующей подложке (примесная БФП на внутреннем барьере). Поэтому фон примесной фоточувствительности на спектре фотопроводимости проявляется значительно сильнее, чем на спектре фотоэдс на контакте полупроводник/электролит (ФПЭ). На рис. 6 показаны спектры ФПЭ (фоточувствительность связана только с изменением высоты поверхностного барьера) и ФП (фоточувствительность связана с изменением ширины как поверхностного, так и внутреннего барьеров) ГНС. Фон примесной фоточувствительности мешает обнаружению тонкой структуры спектра КТ, особенно при их низкой поверхностной плотности. Это является недостатком метода спектроскопии фотопроводимости.

К достоинствам метода спектроскопии фотопроводимости можно отнести то, что он является простым в реализации и практически неразрушающим, а также позволяет исследовать ГНС без покровного слоя.


Рис. 6. Спектры фоточувствительности структуры с одиночным слоем КТ, измеренные методами спектроскопии фотоэдс в системе полупроводник/электролит (кривая 1) и спектроскопии барьерной фотопроводимости (кривая 2).

^ 4. Измерительная схема
Измерение спектров ФП производится на автоматизированной установке, блок-схема которой показана на рис. 7.



Рис. 7. Блок-схема установки для измерений фотоэлектрических спектров
Источником монохроматического излучения служит светосильный монохроматор SpectraPro 500i или МДР-2 (на другой установке) с дифракционной решеткой 300 или 600 штрихов/мм. В качестве источника излучения используется галогеновая лампа мощностью 250 Вт, питаемая от стабилизированного источника тока. Излучение на выходе монохроматора модулируется дисковым модулятором с частотой ~ 100 Гц. Интенсивность падающего на образец излучения можно изменять при помощи калиброванных металлических сеток. Относительное распределение интенсивности излучения на выходе монохроматора J0(h), необходимое для определения фоточувствительности, измерено с помощью калиброванных Ge, InGaAs и PbS фотодиодов и заведено в компьютер. Регистрация сигнала проводится по стандартной селективной схеме с синхронным детектированием с использованием опорного сигнала от оптопары. После первичной обработки сигнала в компьютере, которая заключается в делении его на интенсивность падающего излучения при заданном значении h, на монитор выводится спектр фоточувствительности Sф(h).

Для измерения планарной фотопроводимости используется схема подключения образца показанная на рис. 8. Омические контакты к структурам изготавливаются электроискровым вжиганием оловянной фольги. Для обеспечения надежного контакта межу прижимным зондом и образцом на контакты наносится жидкая металлическая InGa паста. Для получения максимального сигнала сопротивление нагрузки Rн выбирается близким к сопротивлению образца. Режим максимальной чувствительности реализуется при равенстве темнового сопротивления образца и нагрузки Rн.



Рис. 8. Схема измерения планарной ФП. RН – сопротивление нагрузки.
^ 5. Порядок выполнения работы
Собрать измерительную ячейку. Для этого установить образец в держатель, соединить омические контакты на образце с пружинными электродами ячейки. Измерить темновое сопротивление образца. Выставить нагрузочное сопротивление близкое к сопротивлению образца. Подать на образец напряжение 2 В.

Включить питание лампы накаливания и модулятор. Добиться максимальной величины фотоэлектрического сигнала, фокусируя выходящее из монохроматора излучение на образец.

Ознакомиться с описанием программы для измерения спектров. Выполнить задание.

6. Задание


  1. Измерить зависимость фотопроводимости в области собственного поглощения GaAs ( = 1,5 эВ) от интенсивности модулированного освещения и построить зависимость VФ(J0) в двойном логарифмическом и полулогарифмическом масштабах. Для изменения интенсивности использовать калиброванные металлические сетки. Определить границу линейного участка характеристики. Установкой соответствующей сетки выбрать начальный уровень фотовозбуждения для измерения спектра в области высокой фоточувствительности (при = 1,5 эВ) в линейном режиме.

  2. Измерить зависимость фотопроводимости в области собственного поглощения GaAs ( = 1,5 эВ) от интенсивности постоянной подсветки и построить зависимость VФ(JП) в двойном логарифмическом масштабе.

  3. Измерить спектр фотопроводимости. При переходе в спектральную область с низкой фоточувствительностью для повышения уровня сигнала сетку убрать.

  4. Сделать вывод о природе наблюдаемой фотопроводимости. Определить энергию основного и возбужденных переходов в КТ

  5. Оценить точность измерений спектра.



7. Вопросы


  1. Что такое самоорганизованные квантовые точки? Почему происходит самоорганизация? Энергетический спектр и плотность состояний в КТ.

  2. Получение ГНС с КТ.

  3. Свойства приповерхностной области GaAs и n-s- перехода.

  4. Механизм возникновения объемной и барьерной фотопроводимости в области межзонного поглощения матрицы и квантово-размерного слоя.

  5. Как экспериментально определить природу наблюдаемой фотопроводимости?

  6. Что такое фоточувствительность?

  7. Достоинства и недостатки метода спектроскопии фотопроводимости.

  8. Опишите экспериментальную установку для измерения фотоэлектрических спектров.


Литература


  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. – 1998. T. 32, № 4. – С. 385 – 410.

  2. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures. John Wiley & Sons, Inc., 1999. - 338 p.

  3. S.M. Sze. Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory: From Floating-Gate to Single-Electron Memory Cell // Future Trends in Microelectronics / N.Y. USA: John Wiley & Sons, Inc., 1999. - P. 291 – 303.

  4. C. Balocco, A.M. Song, M. Missous. Room-temperature operations of memory devices based on self-assembled InAs quantum dot structures // Appl. Phys. Lett. – 2004. Vol. 85, n. 24. – P. 5911 – 5913.

  5. M. Stavola. // Acta Physica Polonica. – 1992. Vol. A 82. – P. 585 – 591.

  6. И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP // ФТП. – 1989. – Т. 23, № 6. – С. 2164 – 2169.Зенгуил, Э. Физика поверхности / Э. Зенгуил. – М.: Мир, 1990. – 536 с.

  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП. – 1998. T. 32, № 4. – С. 385 – 410.

  8. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетероструктур: Учебное пособие. - Н. Новгород.: Изд. ННГУ, 1999. – 77 с.

  9. И.А. Карпович, Д.О. Филатов, А.П. Горшков. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетернаноструктур. Учебное пособие. Электронная версия [Электронный ресурс] – Н. Новгород.: Изд. ННГУ, 2007. – Режим доступа: http://unn.ru/pages/issues/aids/2007/74.pdf , свободный.


^ Фотопроводимость в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs
Практикум
Составители: старший преподаватель А.П. Горшков, профессор И.А. Карпович, инженер Л.А. Истомин.


Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского»

603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23.

Подписано в печать Формат 60 х 90 /16.

Бумага офсетная. Печать офсетная. Гарнитура Таймс.

Усл. печ. л. 1 . Уч.- изд. л. .

Заказ № . Тираж 100 экз.


Отпечатано в типографии Нижегородского госуниверситета

им. Н.И. Лобачевского

603600, г. Нижний Новгород, ул. Большая Покровская, 37

Лицензия ПД № 18-0099 от 14.05.01


Похожие:

Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconУчебное пособие Рекомендовано методической комиссией физического...
Целью этого пособия является обучение студентов основам физики поверхностных электрических явлений в полупроводниках для понимания...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconНнгу, обучающихся по направлению подготовки 080800 «Прикладная информатика...
Рекомендовано методической комиссией факультета вычислительной математики и кибернетики для студентов ннгу, обучающихся по направлению...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 icon-
Рекомендовано методической комиссией филологического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению подготовки 031300...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconПрикладная информатика Нижний Новгород 2005
Рекомендовано методической комиссией факультета вычислительной математики и кибернетики для студентов высших учебных заведений, обучающихся...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconОсновы стиховедения
...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconУчебно-методическое пособие Рекомендовано методической комиссией...
Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета физической культуры и спорта ннгу, обучающихся по направлению...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconУчебно-методическое пособие Рекомендовано методической комиссией...
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Нижегородский государственный...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconВ. А. Берендеев История политических учений Запада Учебно-методическое пособие
Рекомендовано методической комиссией факультета международных отношений для студентов ннгу, обучающихся по направлениям подготовки...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconУчебно-методическое пособие для абитуриентов, выпускников, учителей...
В 75 Воробьёва М. С. Н. В. Гоголь. «Шинель», «Ревизор», «Мёртвые души». Учебно-методическое пособие для абитуриентов, выпускников,...
Практикум Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ннгу, обучающихся по направлению 210600 «Нанотехнология» Нижний Новгород 2009 iconМетодическая разработка Часть Рекомендовано методической комиссией...
Рекомендовано методической комиссией механико-математического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям...
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2014
shkolnie.ru
Главная страница